Amorphisation d'une cible d'AsGa par des ions As
Résumé
Le modèle de la densité d'énergie critique donne une analyse pratique de la transition cristal/amorphe induite par implantation ionique. Nous l'avons appliqué au cas d'un cristal d'arséniure de gallium irradié, à température ambiante, par des ions arsenic accélérés sous une tension de 100 kV. L'observation des dépôts irradiés en microscopie électronique par la tranche nous a permis de tracer un diagramme d'état expérimental qui permet pour un tel système de prédire les effets d'une implantation. En associant ces résultats à la distribution de la densité d'énergie de dommage donnée par TRIM, nous avons trouvé pour ce système une valeur de la densité d'énergie critique égale à 50 eV/mol.
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